Strukturelle und Elektronische Eigenschaften des Graphens auf Diamant

Kohlenstoff, das wohl essentiellste aller Elemente, existiert in zwei unterschiedlichen anorganischen Kristallformen: als Diamant und als Graphit. Die elektronischen Eigenschaften von Diamant und Graphen - einer einzelnen Lage Graphit - könnten unterschiedlicher nicht sein. Eine Bandlücke von ca. 6 eV im Diamant führt zu einem elektrischen Widerstand von 10¹8 Ohm.m. Im Gegensatz dazu besitzt Graphen keine Bandlücke am Fermi Niveau, was zu einem Halbmetall Verhalten mit außergewöhnlichen elektronischen Eigenschaften führt.

Die resultierende Frage ist, was passiert wenn man diese zwei außergewöhnlichen Materialien in eingen Kontakt bringt. Ziel dieses Projekts ist es eine Antwort darauf zu finden. Zu diesem Zweck planen wir die Synthese von Graphen-Diamant Systemen (GOD) um die elektronischen und strukturellen Eigenschaften an der Grenzfläche zu untersuchen.

Die durch dieses Projekt entstehende Synergie der Gruppen des Instituts der Physik (IoP) (Tschechische Akademie der Wissenschaften) und der Gruppe Physik Nanostrukturierter Materialien (UW) (Universität Wien), vereinigt die Expertisen im Bereich der Diamant- (IoP) und Graphenforschung (UW) und ermöglicht die Ergänzung, der zur Durchführung notwendigen wissenschaftlichen Instrumente.